2025年半導(dǎo)體功率器件行業(yè)發(fā)展趨勢分析 2010-2011年中國半導(dǎo)體功率器件市場研究分析報告

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2010-2011年中國半導(dǎo)體功率器件市場研究分析報告

報告編號:08A27A8 CIR.cn ┊ 推薦:
  • 名 稱:2010-2011年中國半導(dǎo)體功率器件市場研究分析報告
  • 編 號:08A27A8 
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  • 優(yōu)惠價:電子版7380元  紙質(zhì)+電子版7680
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2010-2011年中國半導(dǎo)體功率器件市場研究分析報告
字號: 報告內(nèi)容:

  半導(dǎo)體功率器件是電力電子系統(tǒng)的核心元件,近年來隨著新能源、電動汽車等新興領(lǐng)域的發(fā)展而迎來了新的機遇。目前,半導(dǎo)體功率器件在材料、工藝、封裝技術(shù)等方面不斷創(chuàng)新,通過采用SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體材料,提高了器件的工作溫度、電壓等級和開關(guān)頻率。隨著電動汽車市場的快速增長,半導(dǎo)體功率器件在電機驅(qū)動、車載充電等方面的應(yīng)用需求不斷增加,推動了技術(shù)的快速迭代。此外,隨著智能制造的推進,半導(dǎo)體功率器件的生產(chǎn)更加注重自動化和智能化,通過引入先進制造設(shè)備、優(yōu)化生產(chǎn)流程等方式,提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

  未來,半導(dǎo)體功率器件作為電力電子系統(tǒng)的核心元件,近年來隨著新能源、電動汽車等新興領(lǐng)域的發(fā)展而迎來了新的機遇。目前,半導(dǎo)體功率器件在材料、工藝、封裝技術(shù)等方面不斷創(chuàng)新,通過采用SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體材料,提高了器件的工作溫度、電壓等級和開關(guān)頻率。隨著電動汽車市場的快速增長,半導(dǎo)體功率器件在電機驅(qū)動、車載充電等方面的應(yīng)用需求不斷增加,推動了技術(shù)的快速迭代。此外,隨著智能制造的推進,半導(dǎo)體功率器件的生產(chǎn)更加注重自動化和智能化,通過引入先進制造設(shè)備、優(yōu)化生產(chǎn)流程等方式,提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

  研究領(lǐng)域:電源管理IC 、MOSFET、IGBT等

  涉及廠商:Fairchild、ST、IR、On Semiconductor、TI等

  《2010-2011年中國半導(dǎo)體功率器件市場研究分析報告》推薦

  在經(jīng)歷了2009年的下滑之后,隨著全球經(jīng)濟的復(fù)蘇,與2009年相比,2010年功率器件市場的實現(xiàn)大幅反彈,增速達30%左右。分領(lǐng)域來看,汽車電子領(lǐng)域依然是增速最快的領(lǐng)域,而筆記本、手機等產(chǎn)品產(chǎn)量的大幅增長則帶動了計算機領(lǐng)域、網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域功率器件市場的發(fā)展。從競爭格局上看,歐美廠商依舊占據(jù)中國功率器件市場競爭優(yōu)勢地位,MOSFET而言,飛兆、威世、英飛凌、IR仍處于領(lǐng)先地位,此外,中國臺灣企業(yè)和韓國企業(yè)也占有一定的市場份額。未來幾年,中國功率器件市場將重新回到平穩(wěn)快速的發(fā)展軌道上。

  為了全面而準(zhǔn)確的反映中國功率器件市場地發(fā)展現(xiàn)狀以及未來趨勢,推出《2010-2011年中國半導(dǎo)體功率器件市場研究分析報告》,將幫助業(yè)界廠商、投資者和相關(guān)政府機構(gòu)更準(zhǔn)確地把握中國功率器件市場的發(fā)展規(guī)律。

全.文:http://www.miaohuangjin.cn/R_2011-02/2010_2011bandaotigonglvqijianshichan.html

  & 深入、翔實的市場研究數(shù)據(jù)。基于對行業(yè)產(chǎn)品的深度研究,提供對產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、應(yīng)用結(jié)構(gòu)等多個角度的市場數(shù)據(jù),明晰市場發(fā)展方向。

  & 全面、深刻的品牌競爭分析。從市場格局、競爭策略、SWOT分析等多個維度分析企業(yè),評點市場領(lǐng)先要素。

  & 科學(xué)、完整的未來發(fā)展預(yù)測。建立在各重點細分市場上的建模校驗,并與相關(guān)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)進行關(guān)聯(lián)分析,確保給出有價值的趨勢分析與定量預(yù)測結(jié)果。

  《2010-2011年中國半導(dǎo)體功率器件市場研究分析報告》全面總結(jié)了2010年中國功率器件市場的發(fā)展?fàn)顩r,全面分析了其推進因素和市場特點,并對主要廠商進行了客觀綜合的評價,通過大量的調(diào)研訪談和詳實準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)支撐,為客戶提供完整的中國功率器件市場信息,為企業(yè)提供有效的決策參考,報告主要為客戶提供了以下方面的內(nèi)容。

  & 目前國內(nèi)功率器件市場規(guī)模及特點

  & 按產(chǎn)品細分的功率器件市場情況

  & 按應(yīng)用領(lǐng)域細分的功率器件市場情況

  & 主要廠商分析

  & 未來各個細分市場的預(yù)測分析

  研究對象

  主要結(jié)論

  重要發(fā)現(xiàn)

  一、2010年全球半導(dǎo)體功率器件市場概述

  (一) 市場規(guī)模與增長

2010-2011 market research and analysis of semiconductor power devices

  (二) 基本特點

  (三) 主要國家與地區(qū)

  1、美國

  2、歐洲

  3、日本

  二、2010年中國半導(dǎo)體功率器件市場概述

  (一) 市場規(guī)模與增長

  (二) 基本特點

  (三) 市場結(jié)構(gòu)分析

  1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

  2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)

2010-2011年中國半導(dǎo)體功率器件市場研究分析報告

  三、2011-2013年中國功率器件市場發(fā)展預(yù)測分析

  (一) 規(guī)模預(yù)測分析

  (二) 結(jié)構(gòu)預(yù)測分析

  1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

  2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)

  四、2011-2013年中國功率器件市場趨勢預(yù)測

  (一) 市場發(fā)展趨勢

  (二) 產(chǎn)品技術(shù)趨勢

  (三) 產(chǎn)品價格趨勢

  五、2010年中國功率器件市場細分產(chǎn)品研究

  (一) MOSFET

  (二) IGBT

  (三) 電源管理IC

2010-2011 nián zhōngguó bàndǎotǐ gōnglǜ qìjiàn shìchǎng yánjiū fēnxī bàogào

  六、中國功率器件市場競爭力分析

  (一) 整體競爭格局

  (二) 重點廠商競爭策略與SWOT分析

  1、Fairchild

  2、ST

  3、Vishay

  4、……

  七、建議

  表目錄

  2006-2010年中國功率器件市場規(guī)模

  2010年中國功率器件市場產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

  2010年中國功率器件市場應(yīng)用結(jié)構(gòu)

  2010年中國MOSFET市場規(guī)模

半導(dǎo)體パワーデバイス2010から2011の市場調(diào)査および分析

  2010年中國MOSFET市場應(yīng)用結(jié)構(gòu)

  2010年中國MOSFET市場電壓結(jié)構(gòu)

  ……

  圖目錄

  2006-2010年全球功率器件市場規(guī)模

  2010年中國功率器件市場品牌結(jié)構(gòu)

  2010年中國MOSFET市場品牌結(jié)構(gòu)

  2010年中國IGBT市場品牌結(jié)構(gòu)

  ……

  

  

  ……

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