| 電力半導體模塊和組件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心部件，其性能直接影響到電力系統(tǒng)的效率和可靠性。目前，電力半導體模塊不僅在開關速度和功率密度上有了顯著改進，還在工作溫度范圍和電磁兼容性方面實現(xiàn)了優(yōu)化。此外，為了適應不同應用場景的需求，一些電力半導體模塊還具備了多種功能，如內(nèi)置保護電路、智能驅(qū)動等特性，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。 | |
| 未來，電力半導體模塊和組件的發(fā)展將更加注重高效化與集成化。隨著新能源汽車、智能電網(wǎng)等新興領域的快速發(fā)展，對電力半導體模塊提出了更高的要求，包括更低的導通損耗、更快的開關速度等。同時，隨著系統(tǒng)級封裝技術的進步，電力半導體模塊將朝著更小體積、更高集成度的方向發(fā)展，以適應小型化、輕量化的設計趨勢。此外，考慮到電力系統(tǒng)的復雜性，開發(fā)出具有更高性能和更廣泛應用潛力的復合型電力半導體模塊，如集成電源管理和信號處理功能等，將是行業(yè)發(fā)展的趨勢。通過這些改進，電力半導體模塊和組件將在提升電力系統(tǒng)的性能和促進電力電子技術發(fā)展中發(fā)揮更大作用。 | |
| 《2025-2031年中國電力半導體模塊和組件行業(yè)現(xiàn)狀研究分析及發(fā)展趨勢預測報告》通過對電力半導體模塊和組件行業(yè)的全面調(diào)研，系統(tǒng)分析了電力半導體模塊和組件市場規(guī)模、技術現(xiàn)狀及未來發(fā)展方向，揭示了行業(yè)競爭格局的演變趨勢與潛在問題。同時，報告評估了電力半導體模塊和組件行業(yè)投資價值與效益，識別了發(fā)展中的主要挑戰(zhàn)與機遇，并結(jié)合SWOT分析為投資者和企業(yè)提供了科學的戰(zhàn)略建議。此外，報告重點聚焦電力半導體模塊和組件重點企業(yè)的市場表現(xiàn)與技術動向，為投資決策者和企業(yè)經(jīng)營者提供了科學的參考依據(jù)，助力把握行業(yè)發(fā)展趨勢與投資機會。 | |
第一章 世界電力半導體模塊和組件行業(yè)市場運行形勢分析 |
產(chǎn) |
第一節(jié) 全球電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展概況 |
業(yè) |
第二節(jié) 世界電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展走勢 |
調(diào) |
| 一、全球電力半導體模塊和組件行業(yè)市場分布情況 | 研 |
| 二、全球電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展趨勢預測 | 網(wǎng) |
第三節(jié) 全球電力半導體模塊和組件行業(yè)重點國家和區(qū)域分析 |
ｗ |
| 一、北美 | ｗ |
| 二、亞洲 | ｗ |
| 三、歐盟 | ． |
第二章 全球電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展分析 |
Ｃ |
第一節(jié) 2025年世界電力半導體模塊和組件產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述 |
ｉ |
| 一、世界電力半導體模塊和組件產(chǎn)業(yè)特點分析 | ｒ |
| 二、世界電力半導體模塊和組件主要廠家分析 | ． |
| 三、世界電力半導體模塊和組件產(chǎn)業(yè)市場分析 | ｃ |
第二節(jié) 2025年世界電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展分析 |
ｎ |
| 一、2025年世界電力半導體模塊和組件行業(yè)市場分析 | 中 |
| 二、2025年世界電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展分析 | 智 |
第三節(jié) 全球電力半導體模塊和組件市場分析 |
林 |
| 一、2025年全球電力半導體模塊和組件需求分析 | ４ |
| 二、2025年歐美電力半導體模塊和組件需求分析 | ０ |
| 三、2025年中外電力半導體模塊和組件市場對比 | ０ |
第四節(jié) 2025年主要國家或地區(qū)電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展分析 |
６ |
| 一、2025年美國電力半導體模塊和組件行業(yè)分析 | １ |
| 二、2025年日本電力半導體模塊和組件行業(yè)分析 | ２ |
| 三、2025年歐洲電力半導體模塊和組件行業(yè)分析 | ８ |
第三章 我國電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展分析 |
６ |
第一節(jié) 中國電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展情況分析 |
６ |
| 一、2025年電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展狀況分析 | ８ |
| 二、2025年中國電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展動態(tài) | 產(chǎn) |
| 三、2025年我國電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展熱點 | 業(yè) |
第二節(jié) 中國電力半導體模塊和組件市場供需情況分析 |
調(diào) |
| 一、2025年中國電力半導體模塊和組件行業(yè)供給能力 | 研 |
| 二、2025年中國電力半導體模塊和組件市場供給分析 | 網(wǎng) |
| 全^文：http://www.miaohuangjin.cn/R_ShiYouHuaGong/20/DianLiBanDaoTiMoKuaiHeZuJianShiChangJingZhengYuFaZhanQuShi.html | |
| 三、2025年中國電力半導體模塊和組件市場需求分析 | ｗ |
| 四、2025年中國電力半導體模塊和組件產(chǎn)品價格分析 | ｗ |
第三節(jié) 我國電力半導體模塊和組件市場分析 |
ｗ |
| 一、2025年電力半導體模塊和組件市場分析 | ． |
| 二、2025年電力半導體模塊和組件市場的走向分析 | Ｃ |
第四章 電力半導體模塊和組件行業(yè)生產(chǎn)分析 |
ｉ |
第一節(jié) 生產(chǎn)總量分析 |
ｒ |
| 一、電力半導體模塊和組件行業(yè)生產(chǎn)總量及增速 | ． |
| 二、電力半導體模塊和組件行業(yè)產(chǎn)能及增速 | ｃ |
| 三、國內(nèi)外經(jīng)濟形勢對電力半導體模塊和組件行業(yè)生產(chǎn)的影響 | ｎ |
| 四、電力半導體模塊和組件行業(yè)生產(chǎn)總量及增速預測分析 | 中 |
第二節(jié) 子行業(yè)生產(chǎn)分析 |
智 |
第三節(jié) 細分區(qū)域生產(chǎn)分析 |
林 |
第四節(jié) 行業(yè)供需平衡分析 |
４ |
| 一、電力半導體模塊和組件行業(yè)供需平衡現(xiàn)狀 | ０ |
| 二、國內(nèi)外經(jīng)濟形勢對電力半導體模塊和組件行業(yè)供需平衡的影響 | ０ |
| 三、電力半導體模塊和組件行業(yè)供需平衡趨勢預測分析 | ６ |
第五章 電力半導體模塊和組件行業(yè)競爭分析 |
１ |
第一節(jié) 行業(yè)集中度分析 |
２ |
第二節(jié) 行業(yè)競爭格局 |
８ |
第三節(jié) 競爭群組 |
６ |
第四節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)競爭關鍵因素 |
６ |
| 一．價格 | ８ |
| 二．渠道 | 產(chǎn) |
| 三．產(chǎn)品/服務質(zhì)量 | 業(yè) |
| 四．品牌 | 調(diào) |
第六章 電力半導體模塊和組件行業(yè)產(chǎn)品價格分析 |
研 |
第一節(jié) 價格特征分析 |
網(wǎng) |
第二節(jié) 主要品牌企業(yè)產(chǎn)品價位 |
ｗ |
第三節(jié) 價格與成本的關系 |
ｗ |
| 1．成本 | ｗ |
| 2．供需情況 | ． |
| 3．關聯(lián)產(chǎn)品 | Ｃ |
| 4．其他 | ｉ |
第四節(jié) 行業(yè)價格策略分析 |
ｒ |
第五節(jié) 國內(nèi)外經(jīng)濟形勢對電力半導體模塊和組件行業(yè)產(chǎn)品價格的影響 |
． |
第七章 電力半導體模塊和組件行業(yè)用戶分析 |
ｃ |
第一節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)用戶認知程度 |
ｎ |
第二節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)用戶關注因素 |
中 |
| 一、功能 | 智 |
| 二、質(zhì)量 | 林 |
| 三、價格 | ４ |
| 四、外觀 | ０ |
| 五、服務 | ０ |
第三節(jié) 用戶的其它特性 |
６ |
第八章 電力半導體模塊和組件行業(yè)替代品分析 |
１ |
第一節(jié) 替代品種類 |
２ |
第二節(jié) 替代品對電力半導體模塊和組件行業(yè)的影響 |
８ |
第三節(jié) 替代品發(fā)展趨勢 |
６ |
第四節(jié) 國內(nèi)外經(jīng)濟形勢對電力半導體模塊和組件行業(yè)替代品的影響 |
６ |
第九章 電力半導體模塊和組件行業(yè)互補品分析 |
８ |
第一節(jié) 互補品種類 |
產(chǎn) |
第二節(jié) 互補品對電力半導體模塊和組件行業(yè)的影響 |
業(yè) |
第三節(jié) 互補品發(fā)展趨勢 |
調(diào) |
第四節(jié) 國內(nèi)外經(jīng)濟形勢對電力半導體模塊和組件行業(yè)互補品的影響 |
研 |
第十章 電力半導體模塊和組件行業(yè)主導驅(qū)動因素分析 |
網(wǎng) |
第一節(jié) 國家政策導向 |
ｗ |
第二節(jié) 關聯(lián)行業(yè)發(fā)展 |
ｗ |
第三節(jié) 行業(yè)技術發(fā)展 |
ｗ |
第四節(jié) 行業(yè)競爭情況分析 |
． |
第五節(jié) 社會需求的變化 |
Ｃ |
第十一章 電力半導體模塊和組件上游行業(yè)分析 |
ｉ |
第一節(jié) 電力半導體模塊和組件上游行業(yè)增長情況 |
ｒ |
第二節(jié) 電力半導體模塊和組件上游行業(yè)區(qū)域分布情況 |
． |
第三節(jié) 電力半導體模塊和組件上游行業(yè)發(fā)展預測分析 |
ｃ |
第四節(jié) 國內(nèi)外經(jīng)濟形勢對電力半導體模塊和組件上游行業(yè)的影響 |
ｎ |
第十二章 電力半導體模塊和組件下游行業(yè)分析 |
中 |
第一節(jié) 電力半導體模塊和組件下游行業(yè)增長情況 |
智 |
第二節(jié) 電力半導體模塊和組件下游行業(yè)區(qū)域分布情況 |
林 |
第三節(jié) 電力半導體模塊和組件下游行業(yè)發(fā)展預測分析 |
４ |
| Current Status Research Analysis and Development Trend Forecast Report of China Power Semiconductor Modules and Components Industry from 2025 to 2031 | |
第四節(jié) 國內(nèi)外經(jīng)濟形勢對電力半導體模塊和組件下游行業(yè)的影響 |
０ |
第十三章 電力半導體模塊和組件行業(yè)渠道分析 |
０ |
第一節(jié) 渠道格局 |
６ |
第二節(jié) 渠道形式 |
１ |
第三節(jié) 渠道要素對比 |
２ |
第四節(jié) 各區(qū)域主要代理商情況 |
８ |
| 第十四 章電力半導體模塊和組件行業(yè)成長性 | ６ |
第一節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)固定資產(chǎn)增長 |
６ |
第二節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)收入及利潤增長 |
８ |
第三節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)資產(chǎn)增長 |
產(chǎn) |
第四節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)成長驅(qū)動因素 |
業(yè) |
第十五章 電力半導體模塊和組件行業(yè)盈利性 |
調(diào) |
第一節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)毛利率 |
研 |
第二節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)凈利率 |
網(wǎng) |
第三節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)資產(chǎn)利潤率 |
ｗ |
第四節(jié) 影響電力半導體模塊和組件行業(yè)盈利性的有利、不利因素 |
ｗ |
第十六章 區(qū)域市場分析 |
ｗ |
第一節(jié) 各區(qū)域電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 |
． |
| 一、華東地區(qū) | Ｃ |
| 二、華北地區(qū) | ｉ |
| 三、華中地區(qū) | ｒ |
| 四、華南地區(qū) | ． |
| 五、東北地區(qū) | ｃ |
| 六、西部地區(qū) | ｎ |
第二節(jié) 各區(qū)域電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展特征 |
中 |
| 一、華東地區(qū) | 智 |
| 二、華北地區(qū) | 林 |
| 三、華中地區(qū) | ４ |
| 四、華南地區(qū) | ０ |
| 五、東北地區(qū) | ０ |
| 六、西部地區(qū) | ６ |
第三節(jié) 各區(qū)域電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展趨勢 |
１ |
| 一、華東地區(qū) | ２ |
| 二、華北地區(qū) | ８ |
| 三、華中地區(qū) | ６ |
| 四、華南地區(qū) | ６ |
| 五、東北地區(qū) | ８ |
| 六、西部地區(qū) | 產(chǎn) |
第四節(jié) 重點省市電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展情況分析 |
業(yè) |
第十七章 中國電力半導體模塊和組件行業(yè)重點企業(yè)發(fā)展分析 |
調(diào) |
第一節(jié) 臺基股份 |
研 |
| 一、企業(yè)概況 | 網(wǎng) |
| 二、企業(yè)經(jīng)營狀況分析 | ｗ |
| 三、企業(yè)發(fā)展策略分析 | ｗ |
| 四、企業(yè)市場份額 | ｗ |
第二節(jié) 三菱電機機電（上海）有限公司 |
． |
| 一、企業(yè)概況 | Ｃ |
| 二、企業(yè)經(jīng)營狀況分析 | ｉ |
| 三、企業(yè)發(fā)展策略分析 | ｒ |
| 四、企業(yè)市場份額 | ． |
第三節(jié) 山東淄博臨淄銀河高技術開發(fā)有限公司 |
ｃ |
| 一、企業(yè)概況 | ｎ |
| 二、企業(yè)經(jīng)營狀況分析 | 中 |
| 三、企業(yè)發(fā)展策略分析 | 智 |
| 四、企業(yè)市場份額 | 林 |
第四節(jié) 蘇州固锝 |
４ |
| 一、企業(yè)概況 | ０ |
| 二、企業(yè)經(jīng)營狀況分析 | ０ |
| 三、企業(yè)發(fā)展策略分析 | ６ |
| 四、企業(yè)市場份額 | １ |
第十八章 電力半導體模塊和組件行業(yè)風險分析 |
２ |
第一節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)環(huán)境風險 |
８ |
| 一、國際經(jīng)濟環(huán)境風險 | ６ |
| 二、匯率風險 | ６ |
| 三、宏觀經(jīng)濟風險 | ８ |
| 四、宏觀經(jīng)濟政策風險 | 產(chǎn) |
| 五、區(qū)域經(jīng)濟變化風險 | 業(yè) |
第二節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上下游風險 |
調(diào) |
| 一、上游行業(yè)風險 | 研 |
| 二、下游行業(yè)風險 | 網(wǎng) |
| 三、其他關聯(lián)行業(yè)風險 | ｗ |
| 2025-2031年中國電力半導體模塊和組件行業(yè)現(xiàn)狀研究分析及發(fā)展趨勢預測報告 | |
第三節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)政策風險 |
ｗ |
| 一、產(chǎn)業(yè)政策風險 | ｗ |
| 二、貿(mào)易政策風險 | ． |
| 三、環(huán)保政策風險 | Ｃ |
| 四、區(qū)域經(jīng)濟政策風險 | ｉ |
| 五、其他政策風險 | ｒ |
第四節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)市場風險 |
． |
| 一、市場供需風險 | ｃ |
| 二、價格風險 | ｎ |
| 三、競爭風險 | 中 |
第五節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)其他風險分析 |
智 |
第十九章 行業(yè)前景預測和策略建議 |
林 |
第一節(jié) 電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展前景預測分析 |
４ |
| 一、用戶需求變化預測分析 | ０ |
| 二、競爭格局發(fā)展預測分析 | ０ |
| 三、渠道發(fā)展變化預測分析 | ６ |
| 四、行業(yè)總體發(fā)展前景及市場機會分析 | １ |
第二節(jié) 電力半導體模塊和組件企業(yè)營銷策略 |
２ |
| 一、價格策略 | ８ |
| 二、渠道建設與管理策略 | ６ |
| 三、促銷策略 | ６ |
| 四、服務策略 | ８ |
| 五、品牌策略 | 產(chǎn) |
第三節(jié) 電力半導體模塊和組件企業(yè)投資策略 |
業(yè) |
| 一、子行業(yè)投資策略 | 調(diào) |
| 二、區(qū)域投資策略 | 研 |
| 三、產(chǎn)業(yè)鏈投資策略 | 網(wǎng) |
第四節(jié) 電力半導體模塊和組件企業(yè)應對當前經(jīng)濟形勢策略建議 |
ｗ |
| 一、戰(zhàn)略建議 | ｗ |
| 二、財務策略建議 | ｗ |
第二十章 專家投資分析及風險規(guī)避建議 |
． |
| 圖表目錄 | Ｃ |
| 圖表 1 晶閘管、整流二極管橋臂模塊和電橋模塊內(nèi)部電聯(lián)接圖 | ｉ |
| 圖表 2 90A/1600V焊接式晶閘管模塊電原理圖（a）和示意圖（b） | ｒ |
| 圖表 3 260A/1400V壓接式晶閘管模塊簡略結(jié)構(gòu)示意圖 | ． |
| 圖表 4 移相觸發(fā)系統(tǒng)原理框圖 | ｃ |
| 圖表 5 晶閘管智能模塊內(nèi)部接線圖 | ｎ |
| 圖表 6 300A/1700VIGBT模塊電路圖和簡略結(jié)構(gòu)示意圖 | 中 |
| 圖表 7 IPM保護功能框圖（原圖未做格式處理） | 智 |
| 圖表 8 IPM簡略結(jié)構(gòu)示意圖 | 林 |
| 圖表 9 260A/1400V壓接式晶閘管模塊結(jié)構(gòu)示意圖 | ４ |
| 圖表 10 2025年全球電力半導體模塊和組件行業(yè)市場分布情況 | ０ |
| 圖表 11 2025-2031年北美地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | ０ |
| 圖表 12 2025-2031年亞洲地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | ６ |
| 圖表 13 2025-2031年歐盟地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | １ |
| 圖表 14 2025-2031年全球電力半導體模塊及組件行業(yè)需求規(guī)模情況 | ２ |
| 圖表 15 2025-2031年歐美地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)需求規(guī)模對比情況 | ８ |
| 圖表 16 2025-2031年美國地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | ６ |
| 圖表 17 2025-2031年日本地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | ６ |
| 圖表 18 2025-2031年歐洲地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | ８ |
| 圖表 19 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)供給規(guī)模情況 | 產(chǎn) |
| 圖表 20 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)需求規(guī)模情況 | 業(yè) |
| 圖表 21 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)平均價格情況 | 調(diào) |
| 圖表 22 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)產(chǎn)量及增速情況 | 研 |
| 圖表 23 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)產(chǎn)能及增速情況 | 網(wǎng) |
| 圖表 24 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)產(chǎn)量及增速預測情況 | ｗ |
| 圖表 25 2025年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)細分行業(yè)生產(chǎn)結(jié)構(gòu)情況 | ｗ |
| 圖表 26 2025年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)細分區(qū)域生產(chǎn)結(jié)構(gòu)情況 | ｗ |
| 圖表 27 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)供需平衡情況 | ． |
| 圖表 28 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)供需平衡預測情況 | Ｃ |
| 圖表 29 2025年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)集中度情況 | ｉ |
| 圖表 30 2025年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)競爭格局情況 | ｒ |
| 圖表 31 2025年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)競爭群組情況 | ． |
| 圖表 32 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)主要品牌企業(yè)產(chǎn)品價位情況 | ｃ |
| 圖表 33 2025年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)用戶關注功能情況 | ｎ |
| 圖表 34 2025年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)用戶關注質(zhì)量情況 | 中 |
| 圖表 35 2025年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)用戶關注價格情況 | 智 |
| 圖表 36 2025年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)用戶關注外觀情況 | 林 |
| 圖表 37 2025年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)用戶關注服務情況 | ４ |
| 圖表 38 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)社會需求增長情況 | ０ |
| 圖表 39 2025年我國電力半導體模塊及組件上游芯片行業(yè)區(qū)域分布情況 | ０ |
| 2025-2031 nián zhōngguó Diànlì Bàndǎotǐ Mókuài Hé Zǔjiàn hángyè xiànzhuàng yánjiū fēnxī jí fāzhǎn qūshì yùcè bàogào | |
| 圖表 40 2025年我國電力半導體模塊及組件下游行業(yè)區(qū)域分布情況 | ６ |
| 圖表 41 2025年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)各區(qū)域代理商情況 | １ |
| 圖表 42 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)固定資產(chǎn)增長情況 | ２ |
| 圖表 43 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)收入增長情況 | ８ |
| 圖表 44 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)利潤總額增長情況 | ６ |
| 圖表 45 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)資產(chǎn)增長情況 | ６ |
| 圖表 46 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)毛利率情況 | ８ |
| 圖表 47 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)凈利率情況 | 產(chǎn) |
| 圖表 48 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)資產(chǎn)利潤率情況 | 業(yè) |
| 圖表 49 2025-2031年我國華東地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | 調(diào) |
| 圖表 50 2025-2031年我國華北地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | 研 |
| 圖表 51 2025-2031年我國華中地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | 網(wǎng) |
| 圖表 52 2025-2031年我國華南地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | ｗ |
| 圖表 53 2025-2031年我國東北地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | ｗ |
| 圖表 54 2025-2031年我國西部地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | ｗ |
| 圖表 55 2025-2031年我國華東地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模預測情況 | ． |
| 圖表 56 2025-2031年我國華北地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模預測情況 | Ｃ |
| 圖表 57 2025-2031年我國華中地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模預測情況 | ｉ |
| 圖表 58 2025-2031年我國華南地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模預測情況 | ｒ |
| 圖表 59 2025-2031年我國東北地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模預測情況 | ． |
| 圖表 60 2025-2031年我國西部地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模預測情況 | ｃ |
| 圖表 61 2025-2031年我國重點省市地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模（億元）情況 | ｎ |
| 圖表 62 臺基股份財務指標 | 中 |
| 圖表 63 臺基股份資產(chǎn)負債表 | 智 |
| 圖表 64 臺基股份利潤表 | 林 |
| 圖表 65 2025-2031年湖北臺基半導體股份有限公司市場份額情況 | ４ |
| 圖表 66 近4年三菱電機機電（上海）有限公司流動資產(chǎn)周轉(zhuǎn)次數(shù)變化情況 | ０ |
| 圖表 67 近4年三菱電機機電（上海）有限公司總資產(chǎn)周轉(zhuǎn)次數(shù)變化情況 | ０ |
| 圖表 68 近4年三菱電機機電（上海）有限公司銷售利潤率變化情況 | ６ |
| 圖表 69 近4年三菱電機機電（上海）有限公司資產(chǎn)負債率變化情況 | １ |
| 圖表 70 近4年三菱電機機電（上海）有限公司產(chǎn)權比率變化情況 | ２ |
| 圖表 71 近4年三菱電機機電（上海）有限公司固定資產(chǎn)周轉(zhuǎn)次數(shù)情況 | ８ |
| 圖表 72 -20124年9月三菱電機機電（上海）有限公司市場份額情況 | ６ |
| 圖表 73 近4年山東淄博臨淄銀河高技術開發(fā)有限公司固定資產(chǎn)周轉(zhuǎn)次數(shù)情況 | ６ |
| 圖表 74 近4年山東淄博臨淄銀河高技術開發(fā)有限公司流動資產(chǎn)周轉(zhuǎn)次數(shù)變化情況 | ８ |
| 圖表 75 近4年山東淄博臨淄銀河高技術開發(fā)有限公司銷售利潤率變化情況 | 產(chǎn) |
| 圖表 76 近4年山東淄博臨淄銀河高技術開發(fā)有限公司資產(chǎn)負債率變化情況 | 業(yè) |
| 圖表 77 近4年山東淄博臨淄銀河高技術開發(fā)有限公司產(chǎn)權比率變化情況 | 調(diào) |
| 圖表 78 近4年山東淄博臨淄銀河高技術開發(fā)有限公司總資產(chǎn)周轉(zhuǎn)次數(shù)變化情況 | 研 |
| 圖表 79 2025-2031年山東淄博臨淄銀河高技術開發(fā)有限公司市場份額情況 | 網(wǎng) |
| 圖表 80 蘇州固锝財務指標 | ｗ |
| 圖表 81 蘇州固锝資產(chǎn)負債表 | ｗ |
| 圖表 82 蘇州固锝利潤表 | ｗ |
| 圖表 83 2025-2031年蘇州固锝電子股份有限公司市場份額情況 | ． |
| 圖表 84 2025-2031年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)需求規(guī)模預測情況 | Ｃ |
| 圖表 85 2025年我國電力半導體模塊及組件行業(yè)競爭格局預測情況 | ｉ |
| 圖表 86 電力半導體模塊及組件渠道策略示意圖 | ｒ |
第一章 世界電力半導體模塊和組件行業(yè)市場運行形勢分析 |
． |
第一節(jié) 全球電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展概況 |
ｃ |
| 電力電子技術主要是由電力半導體器件、電力變流技術和控制技術三部分組成，它主要利用電力半導體器件把電能（包括電壓、電流、頻率、相位和相數(shù)）從一種形式變換成另一種形式，亦即把電能從AC變成DC，DC變成AC，DC變成DC以及AC變成AC，滿足用電設備的各種需要，以達到最佳利用電能的目的．但是在這種電能變換過程中，采用哪一種電力半導體器件能使變流裝置的體積最小、重量最輕、變換效率最高、且電路簡單、電能品質(zhì)最好、價格便宜、操作安裝方便，從而使變流系統(tǒng)最可靠呢？這是裝置設計者長期以來首先要考慮和解決的重要問題，亦是器件設計者長期追求的目標。 | ｎ |
| 電力半導體器件是電力電子技術的基礎，是電力變流裝置的心臟，它非但對電力變流裝置的體積、重量、效率、性能以及可靠性等起到至關重要的作用，而且對裝置的價格也起至幟良大影響。一種新型器件的誕生往往使整個裝置系統(tǒng)面貌發(fā)生巨大改現(xiàn)，促進電力電子技術向前發(fā)展．自1957年世界上第一個晶閘管問世以來，經(jīng)過40多年的開發(fā)和研究，已推出各種電力半導體器件近40種，目前正沿著高頻化、智能化、大功率化和模塊化方向發(fā)展，本文將簡要介紹模塊化發(fā)展趨勢。 | 中 |
| 所謂模塊，就是把二個或二個以上的電力半導體芯片按一定電路聯(lián)成，并與輔助電路共同封裝在一個絕緣的樹脂外殼內(nèi)而制成。自上世紀七十年代Semkron．公司把模塊原理引入電力電子技術領域以來[1]，由于模塊外形尺寸和安裝尺寸的標準化以及芯片間的連線已在模塊內(nèi)部聯(lián)成，因而它與同容量的分立器件相比，具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝、結(jié)構(gòu)重復性好、裝置的機械設計可簡化、總價格（包括散熱器）比分立器件低等優(yōu)點，又因模塊化是使電力電子裝置的效率、重量、體積、可靠性、價格等技術經(jīng)濟指標進一步改善和提高的重要措施，因此，一開始就受到世界各國電力半導體器件公司的高度重視，投入大量人力和財力，開發(fā)出各種內(nèi)部電聯(lián)接形式的電力半導體模塊，如晶閘管、整流二極管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、光控晶閘管、可關斷晶閘管、電力晶閘管GTR、MOS可控晶閘管MCT、功率MOSFET以及絕緣柵雙極型晶體管IGBT等模塊，使模塊技術得以蓬勃發(fā)展。 | 智 |
| 2晶閘管和整流二極管模塊 | 林 |
| 晶閘管和整流二極管模塊始于上世紀70年代初，起初是中小功率晶閘管（電壓≤1000V，電流≤100A）模塊，之后，隨著模塊制造工藝的成熟以及制造模塊的相應輔助材料的研發(fā)成功，使晶閘管模塊的容量增大，品種增多，目前晶閘管模塊水平已達1000A／1600V。下圖是晶閘管、整流二極管橋臂模塊和電橋模塊內(nèi)部電聯(lián)接圖，圖中單相和三相電橋模塊可帶續(xù)流二極管，亦可不帶續(xù)流二極管，因此圖中續(xù)流二極管用虛線連接表示。模塊一般有二種型式，即絕緣隔離型和非絕緣隔離型，前者芯片與銅底板之間的絕緣耐壓高達2.5kV有效值以上，應用對比較靈活，裝置設計者可以把一個或多個橋臂模塊安裝在同一接地的散熱器上，聯(lián)成各種標難的單相或三相全控、半控整流等橋式電路、交流開關或其它各種實用電路，從而大大簡化了電路結(jié)構(gòu)，縮小裝置體積。后者應有公共陽極和陰極才能使用，因而在使用中有很大局限性，發(fā)展較慢。模塊結(jié)構(gòu)按管芯組裝工藝和固定方法不同可分為：普通焊接結(jié)構(gòu)，壓接式結(jié)構(gòu)和DCB鍵合結(jié)構(gòu)三種。它們各有各的優(yōu)缺點，普通焊接結(jié)構(gòu)工藝簡單，零部件少，因而成本低，但由于焊料的熱疲勞，重復功率循環(huán)，使模塊容易造成現(xiàn)場失效。壓接式結(jié)構(gòu)，雖然解決了熱疲勞問題，但由于它結(jié)構(gòu)復雜，零部件多，因而成本高。 | ４ |
| 圖表 1 晶閘管、整流二極管橋臂模塊和電橋模塊內(nèi)部電聯(lián)接圖 | ０ |
| 而DCB鍵合式結(jié)構(gòu)，集中了上述二種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點，克服了它們的缺點，使之有良好的熱疲勞穩(wěn)定性，可制成大電流和高集成度的功率模塊。下面兩圖分別為DCB鍵合式和壓接式品閘管模塊結(jié)構(gòu)圖，由圖可見，模塊三個主電極端子配置在同一平面上，使母線配線容易，門極和輔助陰極端子設在模塊的右側(cè)，并與主端子分開，因而提高了抗干擾能力。模塊內(nèi)的陶瓷絕緣片是AI2O3或Be0，它使銅底板與芯片之間的絕緣耐壓超過2．5kV有效值。晶閘管芯片用RTV“或玻璃鈍化保護，上面灌有硅凝膠和環(huán)氧樹脂，從而提高了模塊的氣密性，這種雙重密封結(jié)構(gòu)大大提高了模塊的耐潮濕性能，因而使模塊能穩(wěn)定可靠地運行。目前，這種模塊已廣泛應用于國防、冶金、航天、機械等國民經(jīng)濟各部門，并被裝置設計者用來逐步替代分立器件。據(jù)美國上世紀90年代初統(tǒng)計，在過去十幾年內(nèi)300A以下的分立晶閘管、整流二極管和20A以上的達林頓晶體管市場占有量已由90％降到20％，而上述器件的模塊卻由10％上升到80％，可見模塊發(fā)展之快。到上世紀90年代初，這種晶閘管系列模塊的制造技術在國外已相當成熟，而且生產(chǎn)成品率也相當高。但由于晶閘管是電流控制型電力半導體器件，所以需要較大的脈沖觸發(fā)功率才能驅(qū)動晶閘管，又要加其它一些輔助電路的元器件（如同步電源的同步變壓器等），體積龐大和制造技術的限制，很難使移相觸發(fā)系統(tǒng)與晶閘管主電路以及保護取樣傳感器等共同封裝在同一塑料外殼內(nèi)，所以，國外至今未見有這種晶閘管集成智能模塊產(chǎn)品，可靠性高。 | ０ |
| 圖表 2 90A/1600V焊接式晶閘管模塊電原理圖（a）和示意圖（b） | ６ |
| 圖表 3 260A/1400V壓接式晶閘管模塊簡略結(jié)構(gòu)示意圖 | １ |
| 我國山東淄博臨淄銀河高技術開發(fā)有限公司，經(jīng)多年的研究開發(fā)，在解決了同步元件微型化問題，使之適合集成用之后，繼而解決了提高信號幅度、抗干擾、高壓隔離和同步信號輸人等問題，并研制開發(fā)出高密度的脈沖變壓器和多路高速大電流集成電路以及幾種適合集成模塊用的專用集成電路，在采用了導熱、絕線性能良好的DCB板，鉬銅板和具有較好電絕緣和保護性能并具有良好熱傳導作用的彈性硅凝膠等特殊材料后，開發(fā)出各種功能的晶閘管集成智能模塊ITPM（IntelligentThyrstorPowerModule），解決了世界上一直未能實現(xiàn)的晶閘管主電路與移相觸發(fā)系統(tǒng)以及保護取樣傳感器共同封裝在一個塑料外殼內(nèi)的難題。 | ２ |
| 下兩圖分別為移相觸發(fā)系統(tǒng)原理框圖和晶閘管智能模塊內(nèi)部接線圖。這樣，使電力電子裝置體積進一步縮小，可靠性更進一步提高，使用更簡單方便，安裝維修更容易，大大方便了用戶，為機電一體化作出重要貢獻。經(jīng)過近三年的生產(chǎn)和約千余家用戶在調(diào)速、調(diào)功、調(diào)光、溫控、固態(tài)開關、電機軟起動、自動控制等領域的使用，性能良好，使用簡單方便，有“傻瓜”晶閘管模塊之稱。目前，該公司正以數(shù)字技術替代模擬技術，擴大模塊的輸出容量，單相、三相集成移相調(diào)控晶閘管交流開關模塊最大電流達1000A，最高電壓達2200V，單、三相集成移相調(diào)控晶閘管整流橋模塊電流達500A，電壓達1800V。已研制出多種功能更全，輸出電流更大的專用晶閘管智能模塊，如交流電機軟起動模塊，雙閉環(huán)直流電機調(diào)速模塊，大電流全控型整流逆變模塊，弧焊電源模塊以及恒壓、恒流模塊等，且模塊內(nèi)都置有電壓、電流傳感器，以達到閉環(huán)調(diào)節(jié)和保護作用。 | ８ |
| 圖表 4 移相觸發(fā)系統(tǒng)原理框圖 | ６ |
| 圖表 5 晶閘管智能模塊內(nèi)部接線圖 | ６ |
| （a）三相集成移相調(diào)控晶閘管整流橋模塊（b）單相集成移相調(diào)控晶閘管整流橋模塊（c）三相集成移相調(diào)控晶閘管交流開關模塊（d）單相集成移相調(diào)控晶閘管交流開關模塊（e）帶過零觸發(fā)電路的三相晶閘管交流開關模塊（f）帶過零觸發(fā)電路的單相晶閘管交流開關模塊 | ８ |
| 3絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊 | 產(chǎn) |
| 上世紀80年代初，ICBT器件的研制成功以及隨后其額定參數(shù)的不斷提高和改進，為高頻、較大功率應用的發(fā)展起到了重要作用。由于IGBT為電壓型驅(qū)動，具有驅(qū)動功率小，開關速度高，飽和壓降低，可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點，表現(xiàn)出很好的綜合性能，已成為當前在工業(yè)領域應用最廣泛的電力半導體器件。其硬開關頻率達25kHz，軟開關頻率可達100kHz。而新研制成的霹靂（Thunderb0lt）型IGBT，其硬開關頻率可達150kHz，在諧振逆變軟開關電路中可達300kHZ。 | 業(yè) |
| IGBT芯片的集電極和快恢復二極管的陰極都直接焊在DCB板陶瓷基板上，然后用銅電極引出，DCB基板再與銅底板相焊，以便散熱。IGBT的發(fā)射極、柵極以及快恢復二極管的陽極都用鋁絲鍵合在DCB板上，然后再用銅電極引出，模塊采用RTV硅橡膠、硅凝膠和環(huán)氧樹脂密封保護，又加芯片本身PN結(jié)已有玻璃鈍化保護，因此，能達到防潮、防震、防有害氣體侵襲，使模塊性能穩(wěn)定可靠。但是，這種把IGBT芯片焊在一個平面上，芯片之間采用超聲鍵合或熱壓焊的方法相聯(lián)，由于器件高di／dt”和dv／dt下進行開和關，很容易產(chǎn)生高的電磁場，導致鍵合線（鋁絲）之間由于鄰近效應，，使電流在導線內(nèi)分布不均勻，并產(chǎn)生寄生振蕩和噪音，導致鍵合線損壞，或使鍵合點脫落，造成IGBT模塊失效。為此，已研制出在鉬片表面鍍合一層鋁，鉬面與IGBT或抉恢復二極管相焊，而鋁絲鍵合在鉬片表面的鍵合鋁層上，以降低鍵合處的應力，進一步改善了IGBT模塊工作的可靠性。 | 調(diào) |
| 圖表 6 300A/1700VIGBT模塊電路圖和簡略結(jié)構(gòu)示意圖 | 研 |
| 4IGBT智能模塊由于MOS結(jié)構(gòu)的IGBT是電壓驅(qū)動的，因此驅(qū)動功率小，并可用集成電路來實現(xiàn)驅(qū)動和控制，進而發(fā)展到把IGBT芯片，快速二極管芯片，控制和驅(qū)動電路，過壓、過流、過熱和欠壓保護電路、箝位電路以及自診斷電路等封裝在同一絕緣外殼內(nèi)的智能化IGBT模塊（IPM），它為電力電子逆變器的高頻化、小型化、高可靠性和高性能創(chuàng)造了器件基礎，亦使整機設計更簡化，整機的設計、開發(fā)和制造成本降低，縮短整機產(chǎn)品的上市時間。由于IPM均采用標準化的具有邏輯電平的柵控接口，使IPM能很方便與控制電路板相連接。IPM在故障情況下的自保護能力，降低了器件在開發(fā)和使用中損壞的幾率，大大提高了整機的可靠性。下兩圖分別為IPM保護的功能框圖和結(jié)構(gòu)圖。 | 網(wǎng) |
| 圖表 7 IPM保護功能框圖（原圖未做格式處理） | ｗ |
| 圖中IPM內(nèi)置的保護功能允許IGBT避免因控制失靈和應力過大而損壞的前提下，最大限度地利用IGBT器件的容量，而且其中任一種保護動作，ICBT柵極驅(qū)動單元就會被關斷，并輸出一個故障信號FO。由于采用RTC電路的實時電流控制功能來抑制短路電流，所以能實現(xiàn)短路的安全切斷。過電壓箝位保護，改變了過去過壓保護用外插入吸收電路的辦法，解決了吸收電路存在的損耗問題。IPM中采用帶有電流傳感器的IGBT芯片，這一電流實時監(jiān)控技術能高效迅速檢測過電流和短路電流，并采用逐步降柵壓的軟關斷技術，大大降低了關斷大電流而引發(fā)的浪涌電壓。在靠近IGBT芯片的絕緣基板（DCB板）上安裝有一個溫度傳感器，進行芯片溫度檢測，若基板溫度超過熱動作數(shù)值，則內(nèi)部封鎖柵極驅(qū)動脈沖，并輸出故障信號F0，此法解決了熱敏法無法解決的檢測短時通電溫升問題。 | ｗ |
| 圖表 8 IPM簡略結(jié)構(gòu)示意圖 | ｗ |
| 2025‐2031年の中國のパワーセミコンダクタモジュールおよび部品業(yè)界の現(xiàn)狀に関する研究分析と発展動向予測レポート | |
| 上圖中柵極驅(qū)動和控制電路則做在一塊帶有特殊防電磁干擾保護層的多層PCB上，放在功率器件上面。DCB陶瓷襯底板可提供更大的載流能力，具有更好的散熱性能。目前市場上己能批量供應800A/1200VIPM，其最高水平已達到1200A/1800V和1600A/1500V的通用和專用IPM模塊。為適應計算機、通訊、空間技術以及各種大容量的工業(yè)電力變流裝置和電動機驅(qū)動要求，為了提高產(chǎn)品在市場上的競爭力，在IPM的基礎上開發(fā)出高集成化，智能化，標準化，并適合各種不同用戶應用要求的用戶專用功率模塊（ASPM），它是把變流裝置所有硬件盡量集成在同一芯片上，如把逆變裝置的整流器，逆變器的IGBT和FWD，，制動IGBT以及快速二極管集成在一個芯片上，使之不再有額外的引線連接。目前市場上已大量供應作小功率電機控制用的0.1kW到1.5kWASPM模塊。一臺7.5kW電機變頻裝置ASPM模塊，其體積僅為600mm×400mm×250mm。從而達到體積小，重量輕，裝置成本低，寄生電感小，并大大提高高頻變流裝置的可靠性，21世紀被稱作“Allinone”的ASPM模塊將越來越普及。但是，技術上要把幾百安、幾千伏的電力半導體器件與邏輯電平僅為幾伏、幾毫安的集成電路集成在同一硅芯片上將非常困難。然而采用混合封裝形式的集成電力電子模塊（IPEM）將非常合適和經(jīng)濟，三維多層結(jié)構(gòu)的集成技術，可大大擴大IPEM的功率范圍，下圖為分層多芯片IPEM機構(gòu)圖。圖9中IGBT等器件制成可安裝的管芯形式，它們被安裝在具有高導熱率且絕緣的襯底板上，利用獨特的電通路來實現(xiàn)各器件的互聯(lián)。IPEM的控制電路，柵極緩沖器，電流和溫度傳感器，電平位移電路和保護電路，都利用表面貼裝元件安裝在已燒制好的普通陶瓷片上，一個微處理控制器與[PEM接口，提供所需的控制功能，這種以高集成度為特色的混合結(jié)構(gòu)，結(jié)合無源元件的電磁集成，采用新型材料、熱控技術以及諧振軟開關技術所制成的IPEM為新世紀電力電子技術的發(fā)展開辟了新途徑。 | ． |
| 圖表 9 260A/1400V壓接式晶閘管模塊結(jié)構(gòu)示意圖 | Ｃ |
第二節(jié) 世界電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展走勢 |
ｉ |
| 一、全球電力半導體模塊和組件行業(yè)市場分布情況 | ｒ |
| 圖表 10 2025年全球電力半導體模塊和組件行業(yè)市場分布情況 | ． |
| 二、全球電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展趨勢預測 | ｃ |
| 所謂模塊，最初定義是把兩個或兩個以上的電力半導體芯片按一定電路聯(lián)成，用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護材料，密封在一個絕緣的外殼內(nèi)，并與導熱底板絕緣而成。自上世紀70年代SemikronNurmbeg把模塊原理（當時僅限于晶閘管和整流二極管）引入電力電子技術領域以來，因此模塊化就受到世界各國電力半導體公司的重視，開發(fā)和生產(chǎn)出各種內(nèi)部電聯(lián)接形式的電力半導體模塊，如晶閘管、整流二極管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、光控晶閘管、可關斷晶閘管、電力晶體管（GTR）、MOS可控晶閘管（MCT）、電力MOSFET以及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等模塊，使模塊技術得到蓬勃發(fā)展，在器件中所占比例越來越大。據(jù)美國在上世紀90年代初統(tǒng)計，在過去十幾年內(nèi)，300A以下的分立晶閘管、整流二極管以及20A以上達林頓晶體管市場占有量已由90%降到20%，而上述器件的模塊卻由10%上升到80%，可見模塊發(fā)展之快。 | ｎ |
| 隨著MOS結(jié)構(gòu)為基礎的現(xiàn)代半導體器件研發(fā)的成功，亦即用電壓控制、驅(qū)動功率小、控制簡單的IGBT、電力MOSFET、MOS控制晶閘管（MCT）和MOC控制整流管（MCD）的出現(xiàn)，開發(fā)出把器件芯片與控制電路、驅(qū)動電路、過壓、過流、過熱和欠壓保護電路以及自診斷電路組合，并密封在同一絕緣外殼內(nèi)的智能化電力半導體模塊，即IPM。 | 中 |
| 為了更進一步提高系統(tǒng)的可靠性，適應電力電子技術向高頻化、小型化、模塊化發(fā)展方向，有些制造商在IPM的基礎上，增加一些逆變器的功能，將逆變器電路（IC）的所有器件都以芯片形式封裝在一個模塊內(nèi)，成為用戶專用電力模塊（ASPM），使之不再有傳統(tǒng)引線相連，而內(nèi)部連線采用超聲焊、熱壓焊或壓接方式相連，使寄生電感降到最小，有利于裝置高頻化。一臺7.5KW的電機變頻裝置，其中ASPM只有600×400×250（mm）那么大，而可喜的是，這種用戶專用電力模塊可按應用電路的不同而進行二次設計，有很大的應用靈活性。但在技術上要把邏輯電平為幾伏、幾毫安的集成電路IC與幾百安、幾千伏的電力半導體器件集成在同一芯片上是非常困難的。雖然目前已有1.5KW以下的ASPM出售，但要做大功率的ASPM，還需要解決一系列的問題，因此迫使人們采用混合封裝形式來制造適用于各種場合的集成電力電子模塊（IPEM），IPEM為新世紀電力電子技術的發(fā)展開了新途徑。 | 智 |
第三節(jié) 全球電力半導體模塊和組件行業(yè)重點國家和區(qū)域分析 |
林 |
| 一、北美 | ４ |
| 圖表 11 2025-2031年北美地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | ０ |
| 二、亞洲 | ０ |
| 圖表 12 2025-2031年亞洲地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | ６ |
| 三、歐盟 | １ |
| 圖表 13 2025-2031年歐盟地區(qū)電力半導體模塊及組件行業(yè)市場規(guī)模情況 | ２ |
第二章 全球電力半導體模塊和組件行業(yè)發(fā)展分析 |
８ |
第一節(jié) 中智-林-：2025年世界電力半導體模塊和組件產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述 |
６ |
| 一、世界電力半導體模塊和組件產(chǎn)業(yè)特點分析 | ６ |
| 上世紀80年代初，IGBT器件的研制成功以及隨后其額定參數(shù)的不斷提高和改進，為高頻、較大功率應用范圍的發(fā)展起到了重要作用，由于IGBT模塊具有電壓型驅(qū)動，驅(qū)動功率小，開關速度高，飽和壓降低和可耐高電壓和大電流等一系列應用上的優(yōu)點，表現(xiàn)出很好的綜合性能，已成為當前在工業(yè)領域應用最廣泛的電力半導體器件。其硬開關頻率達25KHz，軟開關頻率可達100KHz.而新研制成的霹靂型（Thunderbolt）型IGBT，其硬開關頻率可達150KHz，諧振逆變軟開關電路中可達300KHz. | ８ |
| 目前，IGBT封裝形式主要有塑料單管和底板與各主電路相互絕緣的模塊形式，大功率IGBT模塊亦有平板壓接形式。由于模塊封閉形式對設計散熱器極為方便，因此，各大器件公司廣泛采用。 | 產(chǎn) |
| 另一方面，IGBT模塊生產(chǎn)工藝復雜，制造過程中要做十幾次精細的光刻套刻，并經(jīng)相應次數(shù)的高溫加工，因此要制造大面積即大電流的IGBT單片，其成品率將大大降低。可是，IGBT的MOS特性，使其更易并聯(lián)，所以模塊封裝形式更適合于制造大電流IGBT.起初由于IGBT要用高阻外延片技術，電壓很難突破，因為要制造這樣高壓的IGBT，外延厚度就要超過微米，這在技術上很難，且?guī)缀醪荒軐嵱没?/td> | 業(yè) |
| 1996年日本多家公司采用晶面的高阻硅單晶制造IGBT器件，硅片厚度超過300微米，使單片機IGBT的耐壓超過2.5KV，因此，同年東芝公司推出的1000A/2500V平板壓接式IGBT器件就是由24個80A/2500V的芯并聯(lián)組成。 | 調(diào) |
| 但是隨著模塊頻率的提高和功率的增大，內(nèi)部寄生電感較大的一般IGBT模塊結(jié)構(gòu)，已不能適應應用的需要。為了降低模塊內(nèi)部的裝配寄生電感，使器件在開關時產(chǎn)生的過電壓最小，以適應調(diào)頻大功率IGBT模塊封裝的需要，ABB公司開發(fā)出一種如圖3所示的平面式低電感模塊（ELIP）的新結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)與一般傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的主要區(qū)別在于： | 研 |
| （1）它采用很多寬而簿的銅片重疊形成發(fā)射極端子和集電極端子，安裝時與模塊銅底板平行，并采用等長平行導線直接從IGBT發(fā)射極連到發(fā)射極端子上，而集電極端子則連到DBC板空間位置上，從而消除了互感，限制了鄰近效應，降低了內(nèi)部寄生電感量； | 網(wǎng) |
| （2）許多并聯(lián)的IGBT和FWD芯片都焊在無圖形的DBC板上，且IGBT的發(fā)射極和FWD的陽極上焊有鉬緩沖片，IGBT的柵極與柵極均流電阻鋁絲鍵合相連，這樣使芯片間的電流分布和整流電壓條件一致，有利于模塊芯片能在相同溫度下工作，大大提高了模塊出力和可靠性； | ｗ |
| （3）模塊采用堆積式設計，把上下絕緣層、上下電極端子以及印制電路板相互疊放，并用粘合膠粘合在一起（粘合時要避免氣泡），能很好地隨溫度循環(huán)，無需考慮所謂焊應應力，即所謂的電極“S”形設計。 | ｗ |
| 由于MOS結(jié)構(gòu)的IGBT是電壓驅(qū)動的，因此驅(qū)動功率小，并可用IC來實現(xiàn)驅(qū)動和控制，進而發(fā)展到把IGBT芯片、快速二極管芯片、控制和驅(qū)動電路、過壓、過流、過熱和欠壓保護電路、箝位電路以及自診斷電路等封裝在同一絕緣外殼內(nèi)的智能化IGBT模塊（IPM），它為電力電子逆變器的高頻化、小型化、高可靠性和高性能創(chuàng)造了器件基礎，亦使整機設計更簡化，整機的設計、開發(fā)和制造成本降低，縮短整機產(chǎn)品的上市時間。由于IPM均采用標準化的具有邏輯電平的柵控接口，使IPM能很方便與控制電路板連接。IPM在故障情況下的自保護能力，降低了器件在開發(fā)和使用的損壞，大大提高了整機的可靠性。 | ｗ |
| 二、世界電力半導體模塊和組件主要廠家分析 | ． |
| ABB公司 | Ｃ |
| ABB集團位列全球500強企業(yè)，集團總部位于瑞士蘇黎世。ABB由兩個歷史100多年的國際性企業(yè)瑞典的阿西亞公司（ASEA）和瑞士的布朗勃法瑞公司（BBCBrownBoveri）在1988年合并而成。兩公司分別成立于1883年和1891年。ABB是電力和自動化技術領域的領導廠商。ABB的技術可以幫助電力、公共事業(yè)和工業(yè)客戶提高業(yè)績，同時降低對環(huán)境的不良影響。ABB集團業(yè)務遍布全球100多個國家，擁有13萬名員工，銷售額高達320億美元。 | ｉ |
| ABB是電力和自動化技術的全球領導廠商，致力于為工業(yè)和電力行業(yè)客戶提供解決方案，以幫助客戶提高生產(chǎn)效率，同時降低對環(huán)境的不良影響。ABB集團的業(yè)務遍布全球100多個國家，擁有約124,000名員工。 | ｒ |
| 目前，ABB下設5大業(yè)務部門： | ． |
| 電力產(chǎn)品部：電力產(chǎn)品是輸配電工程的重要組成部分。該部門將統(tǒng)領ABB在世界各地的變壓器、開關、斷路器、電纜和輔助設備制造業(yè)務。此外，它還提供相關服務，從而提升產(chǎn)品性能，延長產(chǎn)品生命周期。 | ｃ |
| 電力系統(tǒng)部：電力系統(tǒng)部為世界各地的輸配電網(wǎng)絡和發(fā)電廠提供全套系統(tǒng)和服務，重點是變電站和變電站自動控制系統(tǒng)。此外，該部門還提供靈活交流輸電系統(tǒng)（FACTS）和高壓直流（HVDC）輸電系統(tǒng)以及電網(wǎng)管理系統(tǒng)。在發(fā)電業(yè)務領域，電力系統(tǒng)部提供儀表產(chǎn)品以及電廠控制和輔助裝置。 | ｎ |
| 離散自動化與運動控制部：離散自動化與運動控制部提供幫助客戶提高生產(chǎn)效率和能源效率的產(chǎn)品、解決方案和相關服務，其電機、發(fā)電機、傳動系統(tǒng)、可編程邏輯控制器、電力電子和機器人產(chǎn)品可以廣泛應用于電力、運動和控制等自動化領域。該業(yè)務部門在風力發(fā)電機行業(yè)擁有領導地位，在太陽能領域的產(chǎn)品線也日益豐富，這將進一步促進離散自動化與運動控制部在工業(yè)領域現(xiàn)有技術、渠道和運營平臺的發(fā)展。 | 中 |
| 低壓產(chǎn)品部：ABB低壓產(chǎn)品業(yè)務部下設控制產(chǎn)品、斷路器和開關、開關插座、箱體和導軌元件以及低壓系統(tǒng)業(yè)務單元。ABB低壓產(chǎn)品可以廣泛應用于工商業(yè) | 智 |
略……
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