《2009-2012年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)調(diào)查與投資分析報(bào)告》簡(jiǎn)介：
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要基礎(chǔ)材料，支撐著通信、計(jì)算機(jī)、信息家電與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)自2003年以來(lái)已連續(xù)4年維持增長(zhǎng)，且2007年全球規(guī)模已達(dá)423.93億美元，較2006年增長(zhǎng)約14%，其中晶圓制程材料增長(zhǎng) 17%，達(dá)到250億美元，封裝材料則增長(zhǎng)9%，達(dá)到170億美元。而2007年全球整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)僅增長(zhǎng)3%，達(dá)到2556億美元。
與半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)相比，材料產(chǎn)業(yè)相對(duì)穩(wěn)定，沒(méi)有很大的跌宕起伏。最近5年的年平均增長(zhǎng)率為11%。與設(shè)備行業(yè)類似，亞洲地區(qū)的增長(zhǎng)速率高于全球平均水平，其中中國(guó)的增長(zhǎng)為21%，居全球第一。中國(guó)市場(chǎng)較其他地區(qū)而言是獨(dú)一無(wú)二的。中國(guó)的客戶非常多元化，包括國(guó)有企業(yè)、中外合資公司和外商獨(dú)資公司等。甚至在技術(shù)方面，中國(guó)范圍內(nèi)也存在較大差異，從較早的4英寸晶圓技術(shù)到尖端的45nm工藝技術(shù)，在中國(guó)都能找到足跡。無(wú)論是設(shè)備市場(chǎng)還是材料市場(chǎng)，中國(guó)無(wú)疑是最受關(guān)注的。
中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展迅速，預(yù)計(jì)到2010年，半導(dǎo)體材料的銷售額將達(dá)到530億美元。與晶圓制造材料類似，封裝材料預(yù)計(jì)在2009年和2010年將分別增長(zhǎng)9％和6％，2010年將達(dá)206億美元。
世界半導(dǎo)體行業(yè)巨頭紛紛到國(guó)內(nèi)投資，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展，這也要求材料業(yè)要跟上半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的步伐。可以說(shuō)，市場(chǎng)發(fā)展為半導(dǎo)體支撐材料業(yè)帶來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。
我們發(fā)布的《2009-2012年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)調(diào)查與投資分析報(bào)告》共十一章。首先介紹了半導(dǎo)體材料的定義、分類、特性參數(shù)等，接著分析了國(guó)際國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體和半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀，然后具體介紹了半導(dǎo)體硅材料、氮化鎵、砷化鎵和碳化硅。隨后，報(bào)告對(duì)半導(dǎo)體材料行業(yè)做了關(guān)聯(lián)產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析和國(guó)際國(guó)內(nèi)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析，最后分析了半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。您若想對(duì)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)有個(gè)系統(tǒng)的了解或者想投資半導(dǎo)體材料生產(chǎn)，本報(bào)告是您不可或缺的重要工具。
第一章 半導(dǎo)體材料的相關(guān)概述
1.1 半導(dǎo)體的相關(guān)介紹
1.1.1 半導(dǎo)體的概念
1.1.2 半導(dǎo)體雜質(zhì)
1.1.3 半導(dǎo)體分立器件
1.1.4 半導(dǎo)體集成電路
1.2 半導(dǎo)體材料的相關(guān)介紹
1.2.1 半導(dǎo)體材料的定義
1.2.2 半導(dǎo)體材料的分類
1.2.3 半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)
1.2.4 主要半導(dǎo)體材料的性質(zhì)和作用
1.3 幾種半導(dǎo)體材料的介紹
1.3.1 半導(dǎo)體材料硅
1.3.2 砷化鎵材料
1.3.3 砷化鎵與硅的比較
1.3.4 氮化鎵簡(jiǎn)介
第二章 半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展概況
2.1 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
2.1.1 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生巨變
2.1.2 世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入整合期
2.1.3 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新進(jìn)展
2.1.4 國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)減緩
2.2 我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析
2.2.1 我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)簡(jiǎn)要分析
2.2.2 我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)局勢(shì)良好
2.2.32008 年我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭遇拐點(diǎn)
2.2.4 兩化融合促進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展
2.3 中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展概況
2.3.12008 年我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)分析
2.3.2 我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)增速放慢
2.3.32008 年我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售收入再次增長(zhǎng)
2.3.4 我國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)市場(chǎng)占有率偏低
2.4 我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展存在的問(wèn)題
2.4.1 我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的瓶頸
2.4.2 核心技術(shù)缺失阻礙中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2.4.3 我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)材料和設(shè)備嚴(yán)重滯后
2.4.4 我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)
2.5 中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的策略
2.5.1 我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)主動(dòng)參與海外收購(gòu)
2.5.2 應(yīng)盡快同步發(fā)展半導(dǎo)體支撐材料配套業(yè)
2.5.3 我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)追求創(chuàng)新與創(chuàng)收雙贏
第三章 全球半導(dǎo)體材料發(fā)展概況
3.1 國(guó)際半導(dǎo)體材料發(fā)展綜述
3.1.1 世界半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展
3.1.2 世界半導(dǎo)體材料市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng)
3.1.3 半導(dǎo)體材料市場(chǎng)再創(chuàng)新高
3.2 美國(guó)半導(dǎo)體材料
3.2.1 美國(guó)開(kāi)發(fā)出新型半導(dǎo)體材料
3.2.2 美國(guó)開(kāi)發(fā)出的新材料可降低成本
3.2.3 美國(guó)利用鈷綠開(kāi)發(fā)新半導(dǎo)體材料
3.2.4 美國(guó)道康寧推出半導(dǎo)體材料發(fā)展新模式
3.3 日本半導(dǎo)體材料
3.3.1 日本開(kāi)發(fā)出微磁性半導(dǎo)體材料
3.3.2 日本開(kāi)發(fā)出鉆石半導(dǎo)體材料
2009-2012 China semiconductor materials market research and investment analysis report
3.3.3 日本有機(jī)半導(dǎo)體材料電子遷移率高
3.3.4 日本半導(dǎo)體材料巨頭加大投資以增產(chǎn)
3.4 中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體材料的發(fā)展情況分析
3.4.12007 年中國(guó)臺(tái)灣躍登全球半導(dǎo)體材料第二大市場(chǎng)
3.4.2 中國(guó)臺(tái)灣硅晶圓市場(chǎng)快速成長(zhǎng)
3.4.3 中國(guó)臺(tái)灣成為最大半導(dǎo)體設(shè)備投資市場(chǎng)
3.4.4 中國(guó)臺(tái)灣建成半導(dǎo)體材料實(shí)驗(yàn)室
第四章 中國(guó)半導(dǎo)體材料的發(fā)展分析
4.1 中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展綜述
4.1.1 中國(guó)是最受關(guān)注的半導(dǎo)體材料市場(chǎng)
4.1.2 半導(dǎo)體材料的發(fā)展?fàn)顩r分析
4.1.3 半導(dǎo)體材料市場(chǎng)需求巨大
4.1.4 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料新品不斷
4.2 中國(guó)半導(dǎo)體材料的研究應(yīng)用情況分析
4.2.1 半導(dǎo)體材料的研究主題
4.2.2 我國(guó)半導(dǎo)體材料的研究進(jìn)展
4.2.3 半導(dǎo)體材料的應(yīng)用分析
4.2.4 綠色半導(dǎo)體材料應(yīng)用于高溫汽車
4.3 我國(guó)半導(dǎo)體材料發(fā)展中存在的問(wèn)題及建議
4.3.1 新材料產(chǎn)生的污染問(wèn)題
4.3.2 我國(guó)半導(dǎo)體材料業(yè)應(yīng)開(kāi)拓創(chuàng)新
4.3.3 發(fā)展我國(guó)半導(dǎo)體材料的幾點(diǎn)建議
第五章 半導(dǎo)體硅材料
5.1 硅材料業(yè)的發(fā)展
5.1.1 半導(dǎo)體硅材料在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中的重要作用
5.1.2 我國(guó)硅材料行業(yè)的發(fā)展情況分析
5.1.3 半導(dǎo)體硅材料產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展
5.1.4 我國(guó)半導(dǎo)體硅材料行業(yè)發(fā)展的新特點(diǎn)
5.2 半導(dǎo)體硅材料發(fā)展中的問(wèn)題
5.2.1 技術(shù)落后阻礙半導(dǎo)體硅材料發(fā)展
5.2.2 六大問(wèn)題制約高純硅材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展
5.2.3 多晶硅價(jià)格居高不下給國(guó)內(nèi)企業(yè)帶來(lái)壓力
5.3 半導(dǎo)體硅材料的發(fā)展對(duì)策
5.3.1 加快半導(dǎo)體硅材料行業(yè)發(fā)展的建議
5.3.2 發(fā)展硅材料行業(yè)的策略
5.3.3 國(guó)內(nèi)硅材料企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)策略
第六章 半導(dǎo)體材料氮化鎵
6.1 第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)介紹
6.1.1 第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程
6.1.2 第三代半導(dǎo)體材料得到推廣
6.1.3 寬禁帶半導(dǎo)體材料
2009-2012年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)調(diào)查與投資分析報(bào)告
6.2 氮化鎵的發(fā)展概況
6.2.1 氮化鎵半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的發(fā)展情況分析
6.2.2 氮化鎵照亮半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)
6.2.3 GaN藍(lán)光產(chǎn)業(yè)的重要影響
6.3 氮化鎵的研發(fā)和應(yīng)用情況分析
6.3.1 中科院研制成功氮化鎵基激光器
6.3.2 方大集團(tuán)率先實(shí)現(xiàn)氮化鎵基半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化
6.3.3 非極性氮化鎵材料的研究有進(jìn)展
6.3.4 氮化鎵的應(yīng)用范圍
6.3.5 氮化鎵晶體管的應(yīng)用分析
第七章 其他半導(dǎo)體材料
7.1 砷化鎵
7.1.1 砷化鎵單晶材料的發(fā)展
7.1.2 砷化鎵的特性
7.1.3 砷化鎵產(chǎn)業(yè)的發(fā)展應(yīng)用情況分析
7.1.4 我國(guó)最大的砷化鎵材料生產(chǎn)基地投產(chǎn)
7.2 碳化硅
7.2.1 半導(dǎo)體材料碳化硅介紹
7.2.2 碳化硅材料的特性
7.2.3 高溫碳化硅制造裝置的組成
7.2.4 我國(guó)碳化硅的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目取得重大突破
第八章 半導(dǎo)體材料相關(guān)行業(yè)分析
8.1 半導(dǎo)體分立器件
8.1.1 半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)穩(wěn)健發(fā)展
8.1.22006 -2008年12月全國(guó)及主要省份半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量分析
8.1.32008 年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件的發(fā)展熱點(diǎn)
8.1.4 我國(guó)半導(dǎo)體分立器件進(jìn)出口分析
8.1.5 以新思維發(fā)展半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)
8.1.6 半導(dǎo)體分立器件未來(lái)的三大發(fā)展特點(diǎn)
8.2 半導(dǎo)體集成電器
8.2.1 集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況分析
8.2.2 我國(guó)各地區(qū)半導(dǎo)體集成電路發(fā)展概況
8.2.32006 -2008年12月全國(guó)及重點(diǎn)省份半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)量分析
8.2.4 半導(dǎo)體集成電路發(fā)展需創(chuàng)新
8.2.5 集成電路產(chǎn)業(yè)的錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng)策略
8.2.62011 年我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模將突破1萬(wàn)億元
8.3 LED產(chǎn)業(yè)
8.3.1 LED在我國(guó)的發(fā)展
8.3.2 中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)形成新格局
8.3.3 中國(guó)LED市場(chǎng)混亂
8.3.4 半導(dǎo)體照明LED產(chǎn)業(yè)前途光明
2009-2012 nián zhōngguó bàndǎotǐ cáiliào shìchǎng tiáo chá yǔ tóuzī fēnxī bàogào
8.3.52010 年我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)測(cè)分析
第九章 國(guó)外部分半導(dǎo)體材料企業(yè)分析
9.1 信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
9.1.1 公司簡(jiǎn)介
9.1.22008 財(cái)年信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社經(jīng)營(yíng)情況分析
9.1.32009 財(cái)年第一季度信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社經(jīng)營(yíng)情況分析
9.2 WACKER CHEMIE
9.2.1 公司簡(jiǎn)介
9.2.22007 年Wacker公司經(jīng)營(yíng)情況分析
9.2.32008 年上半年Wacker公司經(jīng)營(yíng)情況分析
9.3 三菱住友株式會(huì)社（SUMCO）
9.3.1 公司簡(jiǎn)介
9.3.22008 財(cái)年三菱住友經(jīng)營(yíng)狀況分析
9.3.32009 財(cái)年上半年三菱住友經(jīng)營(yíng)狀況分析
第十章 國(guó)內(nèi)重點(diǎn)企業(yè)分析
10.1 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
10.1.1 企業(yè)基本信息介紹
10.1.2 2007-2008年企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
10.1.3 2007-2008年企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析
10.1.4 企業(yè)戰(zhàn)略規(guī)劃分析
10.2 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
10.2.1 企業(yè)基本信息介紹
10.2.2 2007-2008年企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
10.2.32007 -2008年企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析
10.2.4 企業(yè)戰(zhàn)略規(guī)劃分析
10.3 浙江海納科技股份有限公司
10.3.1 企業(yè)基本信息介紹
10.3.2 2007-2008年企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
10.3.32007 -2008年企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析
10.3.4 企業(yè)戰(zhàn)略規(guī)劃分析
10.4 峨眉半導(dǎo)體材料廠
10.4.1 企業(yè)基本信息介紹
10.4.2 2007-2008年企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
10.4.32007 -2008年企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析
10.4.4 企業(yè)戰(zhàn)略規(guī)劃分析
10.5 四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司
10.5.1 企業(yè)基本信息介紹
10.5.2 2007-2008年企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
10.5.32007 -2008年企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析
10.5.4 企業(yè)戰(zhàn)略規(guī)劃分析
10.6 洛陽(yáng)中硅高科技有限公司
2009-2012中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)調(diào)査と投資分析レポート
10.6.1 企業(yè)基本信息介紹
10.6.2 2007-2008年企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
10.6.32007 -2008年企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析
10.6.4 企業(yè)戰(zhàn)略規(guī)劃分析
10.7 寧波立立電子有限公司
10.7.1 企業(yè)基本信息介紹
10.7.2 2007-2008年企業(yè)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析
10.7.32007 -2008年企業(yè)經(jīng)營(yíng)能力分析
10.7.4 企業(yè)戰(zhàn)略規(guī)劃分析
第十一章 [:中:智:林:]半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì)與前景預(yù)測(cè)分析
11.1 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前景預(yù)測(cè)
11.1.1 我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景光明
11.1.22010 年我國(guó)大陸將占世界半導(dǎo)體市場(chǎng)1/3
11.1.3 半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)前景預(yù)測(cè)
11.1.4 半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的低耗能趨勢(shì)
11.2 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)
11.2.12010 年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)預(yù)測(cè)分析
11.2.22011 年世界半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)分析
11.2.3 半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì)
11.2.42010 年化合物半導(dǎo)體材料市場(chǎng)預(yù)測(cè)分析
11.2.5 半導(dǎo)體清模材料的發(fā)展趨勢(shì)
11.2.6 利用半導(dǎo)體材料開(kāi)發(fā)新能源的前景
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