《2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告》主要研究分析了半導(dǎo)體功率器件行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)行態(tài)勢(shì)并對(duì)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)作出預(yù)測(cè)。報(bào)告首先介紹了半導(dǎo)體功率器件行業(yè)的相關(guān)知識(shí)及國(guó)內(nèi)外發(fā)展環(huán)境,并對(duì)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)運(yùn)行數(shù)據(jù)進(jìn)行了剖析,同時(shí)對(duì)半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)行了梳理,進(jìn)而詳細(xì)分析了半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局及半導(dǎo)體功率器件行業(yè)標(biāo)桿企業(yè),最后對(duì)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)發(fā)展前景作出預(yù)測(cè),給出針對(duì)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)發(fā)展的獨(dú)家建議和策略。《2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告》給客戶提供了可供參考的具有借鑒意義的發(fā)展建議,使其能以更強(qiáng)的能力去參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
《2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告》的整個(gè)研究工作是在系統(tǒng)總結(jié)前人研究成果的基礎(chǔ)上,密切聯(lián)系國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)運(yùn)行狀況和技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài),圍繞半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展態(tài)勢(shì)及前景、技術(shù)現(xiàn)狀及趨勢(shì)等幾個(gè)方面進(jìn)行分析得出研究結(jié)果。
《2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告》在具體研究中,采用定性與定量相結(jié)合、理論與實(shí)踐相結(jié)合的方法,充分運(yùn)用國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、海關(guān)總署、半導(dǎo)體功率器件相關(guān)相關(guān)行業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)資料進(jìn)行定量分析,并進(jìn)行市場(chǎng)調(diào)查,主要以半導(dǎo)體功率器件企業(yè)和主要的交易市場(chǎng)為目標(biāo),采取多次詢問(wèn)比較的方式確認(rèn)有效程度。
一、2008年全球功率器件市場(chǎng)概述
(一) 市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
(二) 基本特點(diǎn)
(三) 主要國(guó)家與地區(qū)
1、美國(guó)
2、歐洲
3、日本
4、亞太(不含日本)
二、2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)概述
(一) 市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
(二) 基本特點(diǎn)
1、中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速繼續(xù)下滑
2、電源管理IC市場(chǎng)發(fā)展趨緩,網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用增速最慢
轉(zhuǎn)-自:http://www.miaohuangjin.cn/R_2009-07/2008_2009bandaotigonglvqijianshichan.html
3、MOSFET和IGBT仍是市場(chǎng)需求增速最快的兩類產(chǎn)品
(三) 市場(chǎng)結(jié)構(gòu)分析
1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
3、品牌結(jié)構(gòu)
三、2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析
(一) 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)分析
(二) 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
四、2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)趨勢(shì)預(yù)測(cè)
(一) 產(chǎn)品與技術(shù)
1、小型封裝產(chǎn)品快速發(fā)展
2、良好的散熱性能以及更高的功率密度成為封裝發(fā)展方向
3、無(wú)制造廠模式取得快速發(fā)展
4、電源管理IC將向集成化發(fā)展
(二) 價(jià)格
(三) 渠道
五、2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)品研究
(一) MOSFET
1、市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
2、電壓結(jié)構(gòu)
3、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
4、封裝結(jié)構(gòu)
5、電流結(jié)構(gòu)
6、功能結(jié)構(gòu)
7、品牌結(jié)構(gòu)
(二) IGBT
1、市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
3、電壓結(jié)構(gòu)
4、封裝結(jié)構(gòu)
2008-2009 Market Annual Report of the semiconductor power devices
5、品牌結(jié)構(gòu)
(三) 電源管理IC
1、市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
2、市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
3、品牌結(jié)構(gòu)
六、中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力分析
(一) 整體競(jìng)爭(zhēng)格局
(二) 重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略與SWOT分析
1、Fairchild
2、ST
3、TI
4、On Semiconductor
5、Infineon
6、IR
7、Vishay
七、建議
1、中國(guó)企業(yè)要謹(jǐn)慎導(dǎo)入MOSFET產(chǎn)品
2、降低企業(yè)生產(chǎn)成本
3、實(shí)現(xiàn)差異化生產(chǎn)避免惡性競(jìng)爭(zhēng)
《2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告》說(shuō)明
表目錄
表1 2004-2008年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模
表2 2004-2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模
表3 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
表4 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表5 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
表6 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)分析
表7 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
表8 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)分析
表9 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
表10 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)分析
表11 2004-2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模
2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告
表12 2004-2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模
表13 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
表14 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
表15 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表16 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表17 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
表18 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
表19 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電流結(jié)構(gòu)
表20 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電流結(jié)構(gòu)
表21 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)功能結(jié)構(gòu)
表22 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)功能結(jié)構(gòu)
表23 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
表24 2004-2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模
表25 2004-2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模
表26 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表27 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表28 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
表29 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
表30 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電封裝結(jié)構(gòu)
表31 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
表32 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
表33 2004-2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)
表34 2008年中國(guó)電源管理IC產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及增長(zhǎng)
表35 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
表36 2008年中國(guó)電源管理IC應(yīng)用結(jié)構(gòu)及增長(zhǎng)
表37 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表38 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
表39 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-Fairchild
表40 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-Fairchild
表41 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-ST
表42 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-ST
表43 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商評(píng)價(jià)-TI
2008-2009 nián zhōngguó bàndǎotǐ gōnglǜ qìjiàn shìchǎng yánjiū niándù bàogào
表44 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-TI
表45 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-On Semiconductor
表46 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析- On Semiconductor
表47 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-Infineon
表48 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-Infineon
表49 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-IR
表50 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-IR
表51 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-Vishay
表52 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-Vishay
圖目錄
圖1 2004-2008年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模
圖2 2004-2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模
圖3 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
圖4 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖5 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
圖6 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模
圖7 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
圖8 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)分析
圖9 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
圖10 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)分析
圖11 2004-2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模
圖12 2004-2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模
圖13 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
圖14 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
圖15 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖16 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖17 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
圖18 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
圖19 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電流結(jié)構(gòu)
圖20 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電流結(jié)構(gòu)
圖21 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)功能結(jié)構(gòu)
圖22 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)功能結(jié)構(gòu)
半導(dǎo)體パワーデバイスの2008年から2009年市場(chǎng)年報(bào)
圖23 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
圖24 2004-2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模
圖25 2004-2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模
圖26 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖27 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖28 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
圖29 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
圖30 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
圖31 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
圖32 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
圖33 2004-2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)
圖34 2008年中國(guó)電源管理IC產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及增長(zhǎng)
圖35 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
圖36 2008年中國(guó)電源管理IC應(yīng)用結(jié)構(gòu)及增長(zhǎng)
圖37 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖38 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
圖39 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)廠商競(jìng)爭(zhēng)力分析
http://www.miaohuangjin.cn/R_2009-07/2008_2009bandaotigonglvqijianshichan.html
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